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光學器(qì)件(jiàn)/探測器
綫陣探測器
X射綫(xiàn)綫陣(zhèn)列探測係(xì)統

產(chǎn)品(pǐn)型(xíng)號(hào):
更新(xīn)時(shí)間:2025-11-07
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X射綫綫陣列探測係統
英(yīng)國Sens-Tech 公(gōng)司是(shì)X 射(shè)綫(xiàn)探測(cè)器和(hé)信(xìn)號(hào)數據采(cǎi)集係統的專業開發(fā)商,供應(yīng)商,其(qí)在(zài)X 射綫(xiàn)綫(xiàn)掃描成(chéng)像(xiàng)和(hé)CT 領(lǐng)域(yù)擁(yōng)有(yǒu)豐富且成功(gōng)的經驗和技(jì)術(shù)。Sens-Tech 的(dí)係(xì)統集(jí)成(chéng)信號探測,模擬信(xìn)號(hào)放大(dà),數(shù)字(zì)信號輸(shū)出(chū)於一體(tǐ),有(yǒu)多(duō)種控製(zhì)功(gōng)能可(kě)選擇(zé),可方(fāng)便(biàn)的(dí)與計算機連接(jiē),實(shí)現(xiàn)圖像或信(xìn)號的(dí)數字化處理(lǐ)。
X射綫綫(xiàn)陣(zhèn)列探(tàn)測係統
探(tàn)測(cè)器有(yǒu)矽(guī)光電二(èr)管陣列和閃爍晶(jīng)體組成。二管(guǎn)陣列可以(yǐ)是一維或(huò)者兩維(wéi)掃(sǎo)描方式(shì), 由(yóu)具體應用決(jué)定(dìng)。選(xuǎn)擇(zé)探測器需(xū)要(yào)充分考(kǎo)慮光譜響應(yīng),電容,暗電流,靈敏度(dù),探測麵積(jī)以(yǐ)及串擾的影響(xiǎng),並選用(yòng)與(yǔ)閃(shǎn)爍晶體(tǐ)的發射(shè)波(bō)段相(xiāng)匹配的探測器。並(bìng)盡(jìn)可(kě)能降低(dī)暗噪聲(shēng),減小偏移量,獲得的響應。同(tóng)時,讓(ràng)各(gè)探測單元的探測麵積(jī)和(hé)串(chuàn)擾(rǎo)達到*化。
閃爍晶(jīng)體(tǐ)根(gēn)據(jù)探測(cè)能(néng)量(liáng)的(dí)不同(tóng),厚(hòu)度和尺寸可(kě)以根據用(yòng)戶的要求(qiú)進行(háng)定製(zhì)。
Sens-Tech 公司目前(qián)主要(yào)提供(gōng)四種(zhǒng)X 射(shè)綫數據(jù)采(cǎi)集(jí)產品:XDAS-V3 係(xì)列,XDAS-HE 係列(liè),LINX 係列
Sens-Tech 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的參(cān)數
材料 | 厚度 | 能量範(fàn)圍 | 每單位能(néng)量(liáng)的信(xìn)號輸出 | 信號衰(shuāi)減時間 | 備注 |
Silicon | 300μm | 5-30keV | zui高(gāo),直接轉(zhuǎn)化(huà) | 1us (非(fēi)偏(piān)置(zhì)) | 光電(diàn)二(èr)管(guǎn)直接探測,不使(shǐ)用閃(shǎn)爍(shuò)晶體 |
Gadox(Tb) | 0.31mm | 20-100keV | 近(jìn)似CsI | 2-3ms | 熒(yíng)光(guāng)條,無法(fǎ)進行像(xiàng)素分(fēn)割(gē)來防(fáng)止(zhǐ)串(chuàn)擾 |
Gadox A | 0.2mm | 低於Gadox(Tb)20% | <1ms |
| |
Gadox B | 0.4mm | 高於Gadox(Tb)10% | <1ms |
| |
CsI(Tl) | 0.4-4mm | 40-160keV | 光轉換(huàn)效(xiào)率zui高(gāo) | 2個不同的衰減(jiǎn)時間, 微妙(miào)級 | 像(xiàng)素(sù)被分(fēn)割成(chéng)陣列(liè),以(yǐ)減少(shǎo)串(chuàn)擾(rǎo) |
CdWO4 | 2.5-30mm | 150keV-9MeV | 約為(wéi)CsI的(dí)25% | 20us | 像(xiàng)素被分割成陣(zhèn)列,以減(jiǎn)少(shǎo)串(chuàn)擾,價格昂貴 |
GOS | 2.9mm | 100-200keV | 20% than CdWO4 | 3us | 抗強(qiáng)輻(fú)射 |
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