界達(dá)電(diàn)位(ZS,Z)

粒徑(ZS,S)

分(fēn)子量(ZS,Z)

量測原理

電泳光散(sàn)射(shè)法(Laser Doppler)

動(dòng)態(tài)光散(sàn)射(shè)法(DLS)

靜態(tài)光散射(shè)法(fǎ)(SLS)

光學係(xì)統(tǒng)

外差(chà)法光(guāng)學(xué)係統

等(děng)差法光(guāng)學(xué)係統

雙(shuāng)雷射光(guāng)源(yuán)

半導體(tǐ)雷射(shè)(660 nm, 30 mW)

半導(dǎo)體雷(léi)射(660 nm, 70 mW)

感(gǎn)光組(zǔ)件

高感度(dù)APD

樣(yàng)品(pǐn)容(róng)器

標(biāo)準矩形流道(dào)容器(qì)

四角(jiǎo)形樣品容器(qì)

高(gāo)濃度容器(qì)

量(liáng)測範圍

±200 mV

0.6nm~10μm

360 ~20000000 Mw

量測濃(nóng)度

0.001~ 40%

0.00001~ 40%

-

量測(cè)樣(yàng)品型(xíng)式

液(yè)態樣品

平麵及薄膜狀固(gù)態表(biǎo)麵(miàn)

液態(tài)樣(yàng)品

液態(tài)樣品(pǐn)

溫控

0~90℃ (分辨率0.1℃)

軟硬(yìng)件功(gōng)能

固(gù)態樣品(pǐn)界達電(diàn)位(wèi)量測

(樣(yàng)品(pǐn)大小 15mm*35mm)

STAGE可動掃(sǎo)描(miáo)水平麵位移(yí)界(jiè)達(dá)電位(wèi)解析

(Smoluchowski公式, Huckel公(gōng)式)

電泳解析(森&岡(gāng)本公(gōng)式)

pH滴定(dìng)解析(等電(diàn)點解析(xī))

界達電(diàn)位迭(dié)圖功(gōng)能

平(píng)均(jūn)粒徑解析(xī)(Cumulant法(fǎ)) 粒(lì)度(dù)分布解析

(Marquardt法/NNLS法(fǎ)

Contin法/Unimodal法(fǎ))

STAGE可動改(gǎi)變量(liáng)測(cè)點逆函(hán)數&殘差顯(xiǎn)示功能粒(lì)徑監控功(gōng)能

粒(lì)徑(jìng)顯(xiǎn)示(shì)範圍(0.1 nm~10⁶nm)

分子(zǐ)量(liáng)解(jiě)析(xī)(Debye法(fǎ)) 第二維(wéi)裏(lǐ)係數

慣性半徑補(bǔ)正(zhèng)功(gōng)能(néng)

自(zì)動滴定(dìng)儀

pH 1~13

強酸(suān)/強(qiáng)鹼/添加(jiā)劑三管獨(dú)立注射(shè)滴定分辨(biàn)率 0.1μL

滴(dī)定模(mó)式添加劑模式循(xún)環(huán)模(mó)式(shì)

-

電源(yuán)

100 V ± 10 V, 50/60 Hz, 250 VA