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技術文章(zhāng)
ElFys黑(hēi)矽(guī)光(guāng)電(diàn)探(tàn)測器應(yīng)用(yòng)介(jiè)紹
更(gēng)新時間(jiān):2021-12-10
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ElFys 提(tí)供一係(xì)列高性(xìng)能黑矽(guī)光(guāng)電二極(jí)管。該光(guāng)電(diàn)探(tàn)測器是(shì)通過采用表麵納(nà)米結構技(jì)術與(yǔ)原子(zǐ)層沉積(jī)塗層(céng)相結合,大(dà)大提高了(liǎo)光(guāng)收(shōu)集效率(shuài)。
在 200 nm 至 950 nm 範(fàn)圍內(nèi)具(jù)有光響應,外量子效(xiào)率≥ 96%(通過德國(guó)國家計(jì)量研究院(yuàn)PTB 認(rèn)證(zhèng))。

此光(guāng)電探(tàn)測器在(zài)紫(zǐ)外(wài)波段也同樣具有(yǒu)*的量子效(xiào)率(shuài),比(bǐ)普通的矽光電(diàn)二極管(guǎn)高出(chū)兩倍以(yǐ)上(shàng)。
黑(hēi)矽表麵(miàn)與定製的(dí)原子層(céng)沉積塗層相結(jié)合,極(jí)大(dà)地(dì)提(tí)高(gāo)了感應(yīng)角度(dù)範(fàn)圍(wéi)內的表麵吸收(shōu)率,具有*吸(xī)光度的(dí)超寬感(gǎn)應(yīng)角度(> 95% @ 60°)

ElFys 提(tí)供SM和(hé)PD兩(liǎng)大係列(liè)的標(biāo)準產(chǎn)品(pǐn),也(yě)可以針(zhēn)對不(bù)同(tóng)應用需(xū)求進(jìn)行定製。可以(yǐ)靈活(huó)地提供光電二(èr)極管(guǎn)芯片和*封裝(zhuāng)的光電探測(cè)器解決(jué)方(fāng)案。

SM係(xì)列(liè)黑矽(guī)光電探測(cè)器(qì)主(zhǔ)要特點:
· 在多波(bō)長下(xià)具有(yǒu)出(chū)色(sè)的(dí)光敏性:綠色(sè),紅色和 NIR
· 低暗電流
· 緊湊型 SMD 封(fēng)裝
典(diǎn)型(xíng)應用(yòng):
· 健康監測(cè)
· 可(kě)穿(chuān)戴電子(zǐ)產(chǎn)品(pǐn)

PD係列黑矽光(guāng)電探(tàn)測器主(zhǔ)要(yào)特(tè)點:
· 增(zēng)強的廣(guǎng)譜光敏性:UV,Vis 和 NIR
· 優化(huà)的電氣(qì)特(tè)性
· TO-can 封(fēng)裝*大程度保(bǎo)護環(huán)境
典型應用:
· 高精(jīng)度(dù)測光(guāng)
· 分析儀(yí)器(qì)
· X射綫成像
產品(pǐn)係列(liè) | 型號 | *大偏(piān)置電壓 | 感(gǎn)光麵積(jī) | *大(dà)暗(àn)電(diàn)流(liú)@ -10 mV | 節電容(róng)@0V,100kHz | 響(xiǎng)應率(shuài)@λp | 默認封(fēng)裝 * | |
[V] | [mm2] | [pA] | [pF] | [A/W] | λp (nm) | |||
SM | SM322 | 6 | 3.22 | 40 | 60 | 0.71 | 970 | SMD |
SM446 | 6 | 4.46 | 50 | 80 | 0.71 | 970 | SMD | |
PD | PD1sM | 10 | 1 | 12 | 20 | 0.80 | 1010 | TO-46 |
PD1sH | 1 | 255 | 11 | 0.81 | 1040 | TO-46 | ||
PD4sM | 20 | 4 | 15 | 65 | 0.80 | 1010 | TO-46 | |
PD25sM | 25 | 30 | 370 | 0.80 | 1010 | TO-8 | ||
PD25sH | 25 | 700 | 110 | 0.81 | 1040 | TO-8 | ||
PD100sM | 100 | 60 | 1200 | 0.80 | 1010 | PCB | ||
PD100sH | 100 | 1500 | 340 | 0.81 | 1040 | PCB | ||
PD5sMG | 100 | 5 | 15 | 105 | 0.80 | 1010 | PCB | |
PD5sHG | 5 | 400 | 30 | 0.81 | 1040 | PCB | ||
PD25sMG | 25 | 30 | 370 | 0.80 | 1010 | PCB | ||
PD25sHG | 25 | 700 | 110 | 0.81 | 1040 | PCB | ||
PD100sMG | 100 | 60 | 1200 | 0.80 | 1010 | PCB | ||
PD100sHG | 100 | 1500 | 340 | 0.81 | 1040 | PCB | ||
* 可(kě)根據客(kè)戶要求為所(suǒ)有產品提供定製封裝。
ElFys, Inc. 成(chéng)立於 2017 年(nián)秋季(jì),旨在將一組(zǔ)大學研究人(rén)員(yuán)開(kāi)創的(dí)光電探測器技(jì)術創(chuàng)新(xīn)商業化。公司(sī)利用(yòng)了(liǎo)芬蘭埃斯波(bō)Micronova 納米製(zhì)造(zào)中(zhōng)心先進(jìn)的(dí)加(jiā)工(gōng)設施。該(gāi)設(shè)施(shī)包含了(liǎo)2600 平方(fāng)米 的(dí)兼容CMOS技術的設(shè)施(shī),適用於研發和(hé)半批量(liáng)生(shēng)產(chǎn)。
EIFys Inc. 由(yóu)阿爾(ěr)托大(dà)學的(dí)一(yī)個研(yán)究(jiū)團隊(duì)組成(chéng),是(shì)早(zǎo)期(qī)把(bǎ)太(tài)陽能電(diàn)池新的研(yán)究(jiū)結(jié)結合(hé)到(dào)光探(tàn)測(cè)技(jì)術的公司,由此成功(gōng)的把黑矽技(jì)術應用(yòng)到光(guāng)感應(yīng)技(jì)術中。該技術使得(dé)光(guāng)學(xué)探測(cè)器(qì)的性能大(dà)幅提升(shēng),可(kě)以(yǐ)捕(bǔ)到獲每(měi)一束光。
公(gōng)司的合作夥伴在(zài)矽光伏(fú)和(hé)相(xiāng)關(guān)研究方麵(miàn)也擁有(yǒu)豐富(fù)的專業知(zhī)識。太(tài)陽能(néng)電池和光(guāng)電二極管的結構和(hé)工作原理非常相似,因此太陽能(néng)電(diàn)池的創(chuàng)新通常可以應(yīng)用於光(guāng)電(diàn)二極管,反(fǎn)之(zhī)亦(yì)然。表麵鈍(dùn)化和缺陷(xiàn)工程等主題(tí)是製造過程(chéng)的(dí)組(zǔ)成(chéng)部(bù)分(fēn),正是這些(xiē)製(zhì)造(zào)過(guò)程,幫助我們實現(xiàn)了光電二(èr)極管的(dí)響(xiǎng)應。
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