MM-PAD X射(shè)綫(xiàn)探(tàn)測器(qì)是一款(kuǎn)單光子級別，直接(jiē)探測型(xíng) X 射綫(xiàn)成(chéng)像探測器(qì)，具(jù)有(yǒu)超(chāo)寬動(dòng)態範圍。特別(bié)適用於各(gè)類(lèi)X射綫散射應用，例如
：疊層(céng)成像(xiàng)（Ptychography），相(xiāng)幹衍射(shè)成(chéng)像(xiàng)（CDI），小(xiǎo)角 X 射綫(xiàn)散射(shè)（SAXS）以及廣角(jiǎo) X 射綫(xiàn)散（WAXS）。

該設備采(cǎi)用“混(hùn)合(hé)模(mó)式(shì)"工作(zuò)機(jī)製，實(shí)現(xiàn)了單幀(zhēn)滿(mǎn)阱容(róng)量大(dà)於4.7 × 10⁷光子/像(xiàng)素，以及(jí)在8 keV條件下持續計(jì)數率(shuài)5×10⁸光子/像素/秒。不同於(yú)結(jié)構(gòu)較(jiào)為(wéi)簡單的光子(zǐ)計數(shù)型(xíng)探測器，本係(xì)統不(bù)存在因處(chǔ)理架構導(dǎo)致(zhì)的(dí)“死時間(jiān)"，因此(cǐ)不(bù)會遺(yí)漏(lòu)光子事件。

標準(zhǔn)探測(cè)器頭(tóu)配置為(wéi)512×512像素(sù)，由 2×4子模塊陣(zhèn)列組成。每(měi)個子模塊包含256× 128像素，像素(sù)間距為(wéi)150μm。對(duì)於(yú)20 keV及(jí)以下(xià)的(dí)X射綫能量(liáng)實驗(yàn)，可(kě)選(xuǎn)用基於矽（Si）傳感器基(jī)底(dǐ)的子(zǐ)模(mó)塊。對於高(gāo)於(yú) 20 keV 的實驗，可選用(yòng)基(jī)於碲(dì)化鎘（CdTe）傳感(gǎn)器(qì)基(jī)底的(dí)子模塊。

MM-PAD的最(zuì)小幀間(jiān)時(shí)間(jiān)為 0.86 ms，最高幀率(shuài)可(kě)達1.1 kHz。在8 keV 條(tiáo)件下，讀出(chū)噪聲(shēng)約(yuē)為(wéi)0.5光子/像(xiàng)素，暗電流約為 2光子/像素/秒。係統(tǒng)集成了(liǎo)熱電製(zhì)冷係統以保持低(dī)暗電(diàn)流。可以(yǐ)通過以太網連(lián)接至(zhì)用戶 PC 進(jìn)行控製，並(bìng)支持(chí) EPICS 控製接(jiē)口(kǒu)或 Sydor 專有控(kòng)製(zhì)接(jiē)口(kǒu)。 

MM-PAD X射綫探測(cè)器產品指標

• 傳感器材料
  ：500 μm 厚高阻矽或(huò)750 μm厚(hòu)碲(dì)化鎘

• 傳(chuán)感器格式
  ：由 8個(gè)子(zǐ)模塊組成(chéng)，每個模塊為(wéi) 256 x 128 像(xiàng)素。標準探(tàn)測(cè)器陣列(liè)為(wéi) 512 x 512 像(xiàng)素格式。

• 像素間(jiān)距(jù)
  ：150 μm

• 滿(mǎn)阱容(róng)量(liáng)
  ：4.7 x 10⁷ 光(guāng)子/像(xiàng)素(sù)/幀(zhēn) @ 8 keV

• 持續(xù)計(jì)數率(shuài)
  ：~ 5 x 10⁸ 光(guāng)子(zǐ)/像(xiàng)素/秒(miǎo)

• 讀出噪(zào)聲
  ： ~ 0.5 光子(zǐ)/像素 @ 8 keV

• 暗電流
  ：2光(guāng)子(zǐ)/像(xiàng)素/秒 @ 8 keV

• 幀(zhēn)率
  ：最(zuì)高1.1 kHz

• 能(néng)譜範圍
  ：使用(yòng)矽(guī)傳(chuán)感器時最(zuì)高 20 keV，使(shǐ)用碲(dì)化鎘傳(chuán)感器時(shí)高於 20 keV

• 冷卻方式
  ：熱(rè)電冷(lěng)卻，輔以(yǐ)水冷(lěng)廢(fèi)熱排(pái)出(chū)

• 物理尺寸與重量(liáng)
  ：220 x 220 x 460 mm，< 8 kg

• 用戶界麵
  ：支持 EPICS 和/或 Sydor 專(zhuān)用控(kòng)製(zhì)界(jiè)麵

產(chǎn)品特點

• 單幀(zhēn)動態範圍 > 4.7×10⁷ 光子/像(xiàng)素(sù)，或(huò)等(děng)效的持續 計數(shù)率(shuài) 5×10⁸ 光子(zǐ)/像素/秒（在 8 keV 條(tiáo)件下(xià)）

• 幀率(shuài) 最高可達(dá) 1.1 kHz

• 矽(guī)（Si）傳(chuán)感(gǎn)器 適(shì)用(yòng)於最高 20 keV 能量，或(huò) CdTe傳(chuán)感(gǎn)器(qì) 適用(yòng)於(yú)高於 20 keV 的(dí)能量(liáng)範(fàn)圍(wéi)

• 包(bāo)含(hán) EPICS 控製接口(kǒu) 和/或專有的 Sydor 控製(zhì)接口(kǒu)

產(chǎn)品應(yīng)用(yòng)

• 疊層(céng)成像(xiàng)（Ptychography）

• X 射綫(xiàn)光子相(xiāng)關光譜(pǔ)（XPCS）

• 相幹衍射成(chéng)像（CDI）

• 全散射（小角 X 射綫散射(shè) SAXS 與廣角 X 射綫(xiàn)散射WAXS）
  

QE曲(qū)綫

圖為750 μm 厚 CdTe（碲化(huà)鎘）探(tàn)測器與 500 μm 厚矽探(tàn)測器的(dí)量子(zǐ)效(xiào)率

產(chǎn)品機械(xiè)圖

目前(qián)先鋒(fēng)泰(tài)坦已與(yǔ)美(měi)國(guó) Sydor Technologies 達成*方(fāng)代(dài)理(lǐ)合作，全(quán)麵(miàn)引(yǐn)進(jìn)其X 射(shè)綫(xiàn)探(tàn)測(cè)，金剛石(shí)光(guāng)束監測器儀(yí)器，負(fù)責產(chǎn)品(pǐn)在中(zhōng)國市(shì)場的(dí)推(tuī)廣(guǎng)，銷(xiāo)售(shòu)與(yǔ)售後技術落地，賦(fù)能國(guó)內(nèi)前(qián)沿瞬態(tài)科學(xué)實(shí)驗研究(jiū)。