技術(shù)背景與(yǔ)行(háng)業(yè)痛點(diǎn)

半(bàn)導體(tǐ)製(zhì)造(zào)進(jìn)入(rù)納(nà)米級工(gōng)藝(yì)時代，晶圓(yuán)缺陷檢測麵臨三(sān)大(dà)挑戰(zhàn)：

1）深紫(zǐ)外(wài)波(bō)段光學噪聲幹擾(rǎo)：傳(chuán)統偏振片在(zài)200-400nm波段透光(guāng)率不(bù)足，導(dǎo)致缺陷(xiàn)信號被噪聲(shēng)掩蓋(gài)；

2）真空(kōng)腔(qiāng)體汙染風(fēng)險(xiǎn)：雜(zá)散光(guāng)吸收材料釋(shì)氣率(shuài)超(chāo)標引發(fā)EUV光刻係統(tǒng)穩定性下(xià)降；

3）套(tào)刻誤(wù)差測量(liáng)精度不足(zú)：位置(zhì)探測器綫(xiàn)性度(dù)誤(wù)*＞0.5%時，28nm以(yǐ)下圖(tú)形套(tào)刻(kè)偏差難以(yǐ)控製。

本(běn)方(fāng)案(àn)整(zhěng)合Moxtek，Acktar，On-Trak三(sān)家(jiā)光學(xué)元(yuán)件(jiàn)產(chǎn)品(pǐn)，覆(fù)蓋(gài)“光路控製(zhì)-雜(zá)散光(guāng)抑製(zhì)-定位測量"等方(fāng)麵(miàn)檢(jiǎn)測(cè)需(xū)求，為28nm以下晶圓缺陷(xiàn)檢(jiǎn)測技(jì)術(shù)提供關鍵(jiàn)光學(xué)元件(jiàn)支撐。

核(hé)心(xīn)光(guāng)學元件技術解析

Moxtek金屬綫(xiàn)柵紫外偏(piān)振片

型(xíng)號：UVT240A/UVX240A/UVD240A/UCMNATC0

技術突破：

• 200-400nm波段＞80%透光率(shuài)：采用(yòng)納米綫柵(zhà)刻蝕技術，在(zài)266nm典型(xíng)波長下透過率(shuài)＞80%，消(xiāo)光(guāng)比＞1000:1；可升級193nm偏振片(piàn)

• 250℃耐(nài)熱鍍膜(mó)：滿足半導體檢(jiǎn)測設備高(gāo)溫(wēn)工況(kuàng)需求(qiú)，鍍(dù)膜層(céng)無熱(rè)變(biàn)形(xíng)。

應用(yòng)場景：用(yòng)於(yú)晶(jīng)圓缺(quē)陷(xiàn)檢(jiǎn)測設備，可有效提高(gāo)缺(quē)陷檢測(cè)尺度；光(guāng)刻膠(jiāo)曝(pù)光，可(kě)有效(xiào)提(tí)供(gōng)曝(pù)光分辨率

關鍵(jiàn)性(xìng)能參(cān)數(shù)：

Acktar雜散光吸收膜：消(xiāo)除(chú)晶(jīng)圓缺陷(xiàn)檢測設(shè)備光(guāng)路中雜散(sàn)光

型號：Magic Black/Vacuum Black/Fractal Black/Ultra Black/Metal Velvet

技(jì)術(shù)突破：

• 非(fēi)金屬無機塗(tú)層(céng)：100%無機物(wù)構(gòu)成，CVCM釋(shì)氣(qì)率(shuài)＜0.001%，RML釋(shì)氣率＜0.2%；

• EUV-VIS-IR全(quán)波段吸(xī)收：工(gōng)作(zuò)波長覆蓋EUV-FIR（極(jí)紫外(wài)至(zhì)遠紅(hóng)外），塗(tú)層(céng)厚度(dù)很薄，完(wán)*由(yóu)非(fēi)金屬和氧化(huà)物構成(chéng)，不含有(yǒu)機物(wù)質，塗(tú)層(céng)厚(hòu)度3-25μm可控(kòng)。

• 廣泛適(shì)用性(xìng)：氣(qì)體釋(shì)放量極(jí)低(dī)，與蝕刻和剝(bāo)離(lí)工藝完(wán)*兼(jiān)容，適用於真(zhēn)空(kōng)，低溫(wēn)和(hé)潔淨(jìng)室(shì)環境

應用(yòng)場景(jǐng)：消(xiāo)除(chú)晶圓(yuán)缺(quē)陷檢測(cè)設備光路中雜(zá)散光，可有(yǒu)效提(tí)高缺(quē)陷檢測尺度(dù)

關鍵性(xìng)能參(cān)數：

On-Trak位(wèi)置(zhì)靈(líng)敏探(tàn)測(cè)器(qì)：納(nà)米(mǐ)級(jí)套刻(kè)誤差(chà)測量(liáng)儀(yí)

型號：PSM2-4/PSM2-10/PSM2-20/PSM2-45

技(jì)術突破：

• 0.1%綫性(xìng)度誤(wù)差(chà)：采(cǎi)用雙橫(héng)向矽(guī)探測(cè)器結(jié)構，PSM2-4型號位置(zhì)分辨(biàn)率(shuài)達(dá)100nm；

• 5nm位置分辨(biàn)率：PSM2-10G針墊式四橫(héng)向鍺探測器在800-1800nm波段實(shí)現5μm分(fēn)辨(biàn)率(shuài)。

應用(yòng)場景：在半(bàn)導(dǎo)體應用(yòng)中(zhōng)，位置靈敏(mǐn)探測器因其能夠精確(què)測(cè)量光(guāng)點，粒(lì)子(zǐ)束或輻射的位(wèi)置(zhì)信(xìn)息(xī)而發(fā)揮(huī)著(zhuó)關(guān)鍵(jiàn)作用，主要應(yīng)用於(yú)需(xū)要高精度定位(wèi)，對準(zhǔn)，測(cè)量(liáng)和控製的設備和工藝環(huán)節。

關鍵性能(néng)參數：

PRO紫外反射鏡組：復(fù)雜(zá)光(guāng)路緊(jǐn)湊化設(shè)計

型號：PRO#120/PRO#160/PRO#190

技術突(tū)破：

• 120-320nm定(dìng)製波(bō)長(cháng)：反(fǎn)射/透射(shè)率＞40%，支(zhī)持EUV光刻機(jī)對準(zhǔn)係統設計(jì)；

• 緊湊化(huà)光路設(shè)計：直徑(jìng)25.4-50.8mm可選，適配(pèi)不同檢測(cè)設(shè)備空(kōng)間需求。

應用場(cháng)景(jǐng)：適(shì)用(yòng)於(yú)晶圓(yuán)表(biǎo)麵(miàn)的缺陷(xiàn)檢測(cè)，光刻(kè)機（對準(zhǔn)和(hé)監控(kòng)係統(tǒng)），套刻誤(wù)差測(cè)量(liáng)儀；

關鍵性(xìng)能(néng)參(cān)數(shù)

結語：

本方(fāng)案通(tōng)過(guò)整(zhěng)合(hé)國(guó)*領(lǐng)*的(dí)光學元(yuán)件(jiàn)，構建了28nm以下晶(jīng)圓(yuán)缺(quē)陷檢(jiǎn)測的“光(guāng)學基準元件(jiàn)"方(fāng)案。其核心價值(zhí)在於(yú)突破(pò)深(shēn)紫外(wài)波(bō)段光學控製(zhì)，真空(kōng)環境兼容性，納(nà)米(mǐ)級(jí)測(cè)量三大技術(shù)壁(bì)壘，為中國(guó)半導(dǎo)體製造向(xiàng)14nm，7nm工藝躍遷(qiān)提(tí)供(gōng)關鍵(jiàn)檢測(cè)技術(shù)關鍵元件(jiàn)支(zhī)撐。

讓(ràng)每一(yī)顆芯片(piàn)的(dí)缺陷(xiàn)無(wú)所遁(dùn)形(xíng)——這(zhè)是光(guāng)學技術的(dí)極(jí)限挑(tiāo)戰(zhàn)，更(gēng)是(shì)中國半(bàn)導體(tǐ)製造(zào)的精(jīng)度宣言(yán)。