真空(kōng)MCP探(tàn)測(cè)器的電(diàn)壓配置以及(jí)門(mén)控

MCP每一(yī)級需要約1kV的高(gāo)壓；熒光(guāng)屏相(xiāng)對與(yǔ)MCP輸(shū)出麵需(xū)要(yào)約5kV的高(gāo)壓(yā)以使(shǐ)電子具備(bèi)較(jiào)高的(dí)能量有(yǒu)效(xiào)激(jī)發熒光(guāng)；陽板通(tōng)常則(zé)相(xiāng)對(duì)於MCP輸(shū)出處(chǔ)在200V左(zuǒ)右的(dí)高電(diàn)位(wèi)。

真空MCP探(tàn)測器(qì)的電(diàn)壓(yā)配(pèi)置簡介

如圖(tú)10所示(shì)的一個(gè)典(diǎn)型的MCP影(yǐng)像(xiàng)探(tàn)測(cè)器(qì)（采(cǎi)用熒光屏(píng)輸(shū)出），各(gè)間相(xiāng)對電壓的(dí)幅度(dù)一(yī)般為：

Vout = Vin + 2000V;

Vscreen = Vout + 5000V = Vin + 7000V

圖10 一個典型MCP探測(cè)器的(dí)電(diàn)壓配置(zhì)

當(dāng)探測的(dí)粒子(zǐ)為電中性（如光(guāng)子(zǐ)）時，比較(jiào)方便的是熒(yíng)光(guāng)屏（或陽）接(jiē)地，此(cǐ)時(shí)Vscreen = 0, Vout = -5kV, Vin = -7kV

而(ér)探測帶電粒(lì)子時(shí)，則需要(yào)對各級(jí)電壓(yā)小(xiǎo)心(xīn)配置。因為(wéi)粒(lì)子(zǐ)源一般是零電位的(dí)，如(rú)果(guǒ)MCP輸入端(duān)為負(fù)高(gāo)壓，陽(yáng)離子(zǐ)會(huì)被加速(sù)，從而使(shǐ)得飛行(háng)時間不能正(zhèng)確(què)反映粒子的(dí)初始(shǐ)動能；電子和陰離(lí)子(zǐ)會被減(jiǎn)速(sù)，導(dǎo)致動(dòng)能變化甚(shèn)至不能到(dào)達(dá)探(tàn)測(cè)麵。

因此帶電粒子探測(cè)時通常(cháng)MCP輸(shū)入(rù)麵(miàn)接地(dì)。

有(yǒu)的實驗需(xū)要過濾(lǜ)某種電(diàn)性(xìng)的(dí)粒子，如MCP輸入(rù)麵接負(fù)高壓從而禁止(zhǐ)低(dī)能(néng)電(diàn)子到達探(tàn)測(cè)麵，而(ér)又不(bù)希(xī)望(wàng)該(gāi)負(fù)電勢導(dǎo)致探測的(dí)陽(yáng)離(lí)子動(dòng)能增加(jiā)，可以在(zài)靠(kào)近(jìn)MCP輸入麵前(qián)端加金屬(shǔ)柵網(wǎng)，該柵(zhà)網可(kě)以接(jiē)地以(yǐ)確(què)保粒子(zǐ)在(zài)飛(fēi)行(háng)過程中動(dòng)能不變，而MCP輸(shū)入麵相(xiāng)對(duì)於(yú)柵(zhà)網的電勢(shì)可以阻擋某種(zhǒng)電性(xìng)的(dí)粒(lì)子。由於柵網(wǎng)和(hé)MCP很接(jiē)近(jìn)，不(bù)會對(duì)待(dài)測(cè)粒(lì)子(zǐ)的(dí)飛(fēi)行(háng)時間(jiān)造成影響(xiǎng)。

Photek公司可根(gēn)據實(shí)驗需要，設(shè)計不(bù)同的(dí)電壓配(pèi)置：陽(yáng)接地，輸入(rù)接(jiē)地，輸(shū)入(rù)浮(fú)地，柵網(wǎng)等等(děng)配置。